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NTMFS4849N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
V DS = 15 V
ID = 15 A
V GS = 11.5 V
30
28
26
24
22
20
18
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
1
t d(off)
t r
t d(on)
t f
10
100
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
10 m s
120
100
ID = 27 A
80
10
100 m s
1 ms
60
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
40
20
0.1
0.1
Package Limit
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
120
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
100
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
100
80
10
125 ° C
100 ° C
25 ° C
60
40
20
V DS = 1.5 V
1
0
0
10
20
30
40
50
60 70
80
90 100 110 120
0.1
0.1
1
10
100
1000
10,000
DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. g FS vs. Drain Current
http://onsemi.com
5
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 14. Avalanche Characteristics
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